عایق ترانزیستور سیلیکونی TO-220 ابعاد 1.9×1.3Cm
عایق ترانزیستور سیلیکونی (Silicon Transistor Insulation) در مدارات الکترونیکی نقش حیاتی دارد و عمدتاً در ترانزیستورهای MOSFET و IGBT استفاده می‌شود. این عایق‌ها معمولاً از دی‌اکسید سیلیکون (SiO₂) یا مواد پیشرفته‌تری مانند نیترید سیلیکون (Si₃N₄) یا های-کِی دی‌الکتریک‌ها (High-κ) ساخته می‌شوند. عایق ترانزیستور سیلیکونی TO-220 ابعاد 1.9×1.3Cm برای قطعات الکترونیکی DIP با پکیج TO220 به کار میرود و مناسب سایز این سایز قطعات است.
کاربردهای اصلی عایق ترانزیستور سیلیکونی در مدارات الکترونیکی:
۱. جداسازی الکتریکی بین گیت و کانال (در MOSFET و IGBT)
-
در ترانزیستورهای MOSFET و IGBT، لایه عایق (معمولاً SiO₂) بین گیت (Gate) و کانال رسانایی قرار می‌گیرد تا از اتصال کوتاه جلوگیری کند.
-
این عایق باعث می‌شود ولتاژ گیت بتواند میدان الکتریکی ایجاد کند و جریان بین سورس و درین را کنترل کند، بدون اینکه جریانی از گیت عبور کند.
۲. کاهش جریان نشتی (Leakage Current)
-
در ترانزیستورهای مدرن (مثل FinFET یا نانومتری)، ضخامت عایق بسیار کم است (حتی زیر ۱ نانومتر!).
-
اگر عایق کیفیت پایینی داشته باشد، جریان نشتی افزایش یافته و مصرف انرژی بالا میرود.
-
استفاده از های-ک دی‌الکتریک‌ها (مثل HfO₂) به جای SiO₂، این مشکل را کاهش می‌دهد.
۳. جلوگیری از تخریب حرارتی و الکتریکی
-
در توان‌های بالا (مثل مبدل‌های قدرت یا درایور موتور)، عایق باید تحمل میدان الکتریکی بالا و دمای زیاد را داشته باشد.
-
در IGBTها، عایق سیلیکونی باید از برق‌گرفتگی بین لایه‌ها جلوگیری کند.
۴. ایزوله کردن ترانزیستورها در مدارهای مجتمع (IC)
-
در تراشه‌های سیلیکونی، عایق‌بندی بین ترانزیستورهای مجاور (مثل تکنولوژی SOI – Silicon On Insulator) از تداخل سیگنال‌ها جلوگیری می‌کند.
-
این روش در پردازنده‌های مدرن و مدارات RF کاربرد زیادی دارد.
از جمله قطعاتی که عایق ترانزیستور سیلیکونی TO-220 ابعاد 1.9×1.3Cm در آن کاربرد، ترانزیستور RU6099R رگولاتور 7812 و ….. را میتوان نام برد.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.